Đồng nhất Độ dày Film 3C Linh kiện điện tử Chân không PVD Magnetron Thiết bị sơn phủ

Nguyên lý làm việc: lắng đọng phún xạ là phương pháp lắng đọng hơi vật lý (PVD) của lắng đọng màng mỏng bằng phương pháp phún xạ. Điều này liên quan đến việc đẩy vật liệu từ một "mục tiêu" là nguồn lên "chất nền" như wafer silicon. Quá trình hồi lưu là phát xạ lại vật liệu lắng đọng trong quá trình lắng đọng bằng cách bắn phá ion hoặc nguyên tử. Các nguyên tử phún xạ được đẩy ra từ mục tiêu có sự phân bố năng lượng rộng, thường lên tới hàng chục eV (100.000 K). Các ion bị bắn tung tóe (thường chỉ có một phần nhỏ các hạt bị đẩy ra bị ion hóa - theo thứ tự 1%) có thể bay một cách đạn đạo từ mục tiêu theo đường thẳng và tác động mạnh mẽ vào chất nền hoặc buồng chân không (gây ra hiện tượng hô hấp). Ngoài ra, ở áp suất khí cao hơn, các ion va chạm với các nguyên tử khí đóng vai trò điều tiết và di chuyển lan tỏa, đến các chất nền hoặc thành buồng chân không và ngưng tụ sau khi đi bộ ngẫu nhiên. Toàn bộ phạm vi từ tác động đạn đạo năng lượng cao đến chuyển động nhiệt năng lượng thấp có thể truy cập bằng cách thay đổi áp suất khí nền. Khí phún xạ thường là khí trơ như argon. Để truyền động lượng hiệu quả, trọng lượng nguyên tử của khí phún xạ phải gần bằng trọng lượng nguyên tử của mục tiêu, vì vậy, để phún xạ các yếu tố ánh sáng neon là tốt hơn, trong khi đối với các nguyên tố nặng krypton hoặc xenon được sử dụng. Khí phản ứng cũng có thể được sử dụng để phun các hợp chất. Các hợp chất có thể được hình thành trên bề mặt mục tiêu, trong chuyến bay hoặc trên chất nền tùy thuộc vào các tham số quá trình. Sự sẵn có của nhiều tham số kiểm soát sự lắng đọng phún xạ làm cho nó trở thành một quy trình phức tạp, nhưng cũng cho phép các chuyên gia kiểm soát mức độ lớn đối với sự phát triển và cấu trúc vi mô của bộ phim.

Tính năng: dễ dàng kiểm soát độ dày và màu màng, hạt màng mịn và mịn

Ứng dụng: Sản phẩm 3C, đồng hồ, trang sức, v.v.

Quy trình xanh: không khí độc hại, không nước thải, không chất thải.